從米國SUN公司引進JAVA措置器技術。

彆的，在20億美金總投資以外，無錫市當局還承擔廠房扶植，無錫市當局一共出資3億美圓扶植兩座占地54萬平方米，麵積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體利用。

半導體產業產值從不敷2000萬美圓，增加到15億美金以上。

4、4、西安市對所得稅征收，前十年全免，後十年半額征收。同時西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通根本設施，總的補助金額保守估計在300億元以上。

反觀韓國人，依托天朝大陸市場的計謀縱深，仰仗無錫海力士的投產，海力士僅僅一年時候就規複元氣。

第一塊256K DRAM投放市場時是1986年，比日本人晚了24個月。

1992年，64M DRAM，韓國人略微搶先於日本人。

至此，韓國人全麵崛起於日韓半導體戰役，成為環球半導體產業大國。

1985年日本人砍掉了40%的設備更新投資和科技紅利投入。

對天朝大陸市場計謀縱深，日本人又是如何態度？

龐煖們需求重視的是，2011年三星半導體環球發賣金額也不過才285.63億美金，300億美金總投資的西安項目對於“韓日NAND FLASH戰役”的意義之嚴峻性，不言而喻。

1993年反而通過壓強原則，重點進犯，科技紅利之有效研發投入同比增加70.19%，穩固對日本人的搶先上風。

西安市為此項目供應了钜額補助，包含：

1992年韓國人64M DRAM略微搶先於日本人和米國人勝利研製後，韓國人並冇有停下科技紅利之有效研發投入。

而同期間的日本半導體產業，從1985年開端日本經濟進入泡沫化，全民炒房。

這就是大師所熟諳的，韓國人在半導體範疇的所謂的第一次“反週期投資”。

這就是韓國人所謂的“反週期投資”。

從英國ARM引進音視頻措置晶片技術。

本日，另有多少人記得，NAND FALSH是日本人發明的呢？

三星第一塊64K DRAM投放市場時是1984年，比日本人足足晚了40個月。

1992年三星環球第一個勝利研製64M DRAM。64M DRAM，矽片直徑為200-250mm，晶片麵積為135mm2，整合度為140000000。

第一塊1M DRAM投放市場時是1986年，比日本人隻晚了12個月。

特彆是海力士，2000年，DRAM團體月產量由第三季度的6500萬顆，第四時度就快速擴增到8000萬顆，增加了23.07%。

采取的首要技術為超淨技術和3.3V低電壓化技術。

與日本東芝、NEC、衝電氣(OKI)展開新型閃存FLASH方麵的技術合作等。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器，最為常見的體係內存。也是在計算機、手機等設備中最常見的根本晶片。

苔彎五家DRAM廠幾近每天虧損1億元，合計虧損1592億元新台幣(48億美金)。

嗯，從小泉純一郎到現在的安倍，他們每天忙著來蒔花家肇事，比如垂釣島。